产品中心

汉骅特色产品

4-6英寸蓝宝石基氮化镓外延

8英寸硅基氮化镓功率外延

基于GaN的HEMT技术，具有高转换效率、低导通损耗等优势，是汉骅的主要产业领域之一。

汉骅产品覆盖射频开关、高低压快充，已进入主流产线应用于快充、无线充电、手机射频开关、新能源汽车充电、音响功放、IDC、储能、数据中心等30V-1200V领域。

8 英寸硅基氮化镓RGB 显示外延产品

4/6 英寸蓝宝石基氮化镓RGB 显示外延产品

产品特点

高均一性、低翘曲度、低Crack、可调波长范围大

①非均匀性<1%

②翘曲度<20um

③ 距边Crack <2mm

④特色红光GaN外延，波长可覆盖610nm到670nm，IQE已验证处于国际领先水平

应用领域

①AR/VR、元宇宙光学引擎硬件等微显示领域

②Micro LED直显屏、车载HUD、投影显示等高端显示领域

1. 汉骅特色3DIC常温异质集成Micro-LED微显示芯片

产品针对AR/VR，元宇宙光学引擎硬件，像元尺寸2-10微米

采用最新的hybrid bonding技术，常温异质集成化合物半导体和CMOS驱动芯片，兼容集成电路工艺，构成全新的3DIC芯片子阵单元，再同背板通过TSV工艺连接

可采用三色垂直堆叠，最大可能的提高CMOS驱动的利用率，支持4-8寸工艺

同光学部件，诸如微镜阵列、光波导（屏）等的工艺耦合度高。

2. 常温异质集成生物MEMS芯片

汉骅微流控芯片技术主要基于半导体材料与芯片技术可实现硅对玻璃、硅对硅等晶圆级常温异质/同质集成具有更高精度和更高通量，大幅缩短检测时间及提高检测准确度良好的化学惰性和热稳定性表面光洁度高汉骅独立大型生产线，在完成研发阶段后，厂内迅速实现芯片大规模量产。

异质/同质晶圆混合集成MEMS芯片，兼容集成电路IC工艺与生命科学MEMS芯片工艺，支持常温兼容集成

✔ 小型化、高集成度、高精度、高自动化

✔ 缩短检测时间，提高检测准确性

✔ 特色刻蚀 & 切割工艺，优化雾形雾角

✔ 直接肺部给药，优化药物吸收效果

半导体MEMS工艺及特色工艺委托研发/生产

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联系方式

电话：0512-65922628

Email：sales@hanhuasemi.com

布局：苏州上海香港德国新加坡

地址：江苏省苏州工业园区长阳街259号中新-钟园工业园B0-1F西侧

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汉骅半导体2017年由长三角国创中心与苏州工业园区作为基石投资人，与创始团队共同发起，是我国首次采用“拨投结合”创新方式支持前瞻性、颠覆性的重大研发项目，是具备国际顶尖水准的高端化合物半导体闭环研发与大型生产基地，也是目前国内已建成的产能最大的独立氮化镓外延供应商。

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苏州汉骅半导体有限公司